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NMOS管，全称N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种由栅极电压来控制漏极电流的电子器件。它的源极和漏极是N型半导体材料，而栅极通常由多晶硅制成，并在上面覆盖有一层二氧化硅绝缘层。NMOS管的工作原理是通过在栅极上施加电压，改变栅极与沟道之间的电场，从而控制沟道中的电荷密度和电流的大小。在数字电路中，NMOS管常常被用作开关来控制电流的通断。当栅极电压足够高时，沟道形成，NMOS管处于导通状态，允许电流从源极流向漏极；而当栅极电压较低时，沟道关闭，NMOS管处于截止状态，阻止电流通过。NMOS管具有低功耗、高开关速度、高集成度等优点。

耐压30V MOS管系列：主要有HC90N03M、HG004N03L、HC005N03L、HC006N03M、HG3019D

HC009N03L、HC008NO3M、HC3022D、HC3039P、HC3039D、HC020N03L、HC013N03M、HC3600M

HC3400M、HC3600G、HC3400Y、HC3404Y、HC030N03L、HC3400S。

耐压60V MOS管系列：主要有HC7002、HG008N06LS、HG6025P、HG008N06L、HG012N05HS

HG5511D、HG6037D、HG012N05H、HG011N06L、HG6037P、HC6013P、HC017N06L、HC015N06L

HC037N06L、HC031N06L、HC6024P、HC6019D、HC037N06LS、HC070N06L、HC706、HC070N06LS。

耐压100V MOS管系列：主要有HG008N10L、HG1015DA、HG010N10L、HG1006DA、HG018N10LS

HC1006D、HC025N10L、HC8N10、HG021N10L、HG024N10L、HG1037D、HG1006D、HC1019D

HC1017D、HG080N10L、HC070N10L、15N10、HC13N10、HG14N10、HG15N10、HC1040P

HC1017P、HC070N10S。

耐压150V MOS管系列：主要有HC1545W、HC120N15L、HG1541S、HG200N15LS、HG200N15LT

HC1519D、HC240N15L、HC15355、HC1549S。